Установка предназначена для ионно-химического травления материалов, применяемых в производстве микроэлектроники. Травление изделий происходит путем бомбардировки поверхности изделий ионами и радикалами технологического газа, образующимися в индукционном ВЧ-разряде при помощи источника ионов высокой плотности (патент РФ N 2 171 555).
Для увеличения параметров плазмы применяется навесная магнитная система в виде двух электромагнитных катушек большого диаметра.
Применяется импортный химически стойкий турбомолекулярный насос типа Turbo-V 551 Navigator.
Баратрон для измерения вакуума в рабочей точке.
Установка может укомплектовываться лазерным измерителем толщины для измерения глубины травления. Прототип установки применяется (ЭРА-3М, ЭРА-4 не шлюзовая) для производства полупроводниковых лазеров и светодиодов на арсениде и нитриде галия, а также для травления SiO2, кремния, полиимида, снятия фоторезиста и т.д в технологии микроэлектроники.
Установка может применяться и для плазмостимулированного осаждения диэлектриков из газовой фазы (SiO2, Si4N4).